產品介紹
NEMST-Jet2008 series
RF/MW噴射式常壓電漿清洗機
- CP電漿設計
- 反應氣體：Ar, Ar + O2, Ar + H2
- 能量集中，效果佳
- 處理間距(距樣品)高
- 若非人為損壞，不需更換電極
- 可單機或線上模組化
- 屬直接式電漿
- 可適用各種材料及各形狀材料
- 反應氣體耗量少
- 電漿有效幅寬：Φ6 mm~ Φ10 mm
- 處理速度：10 mm/sec~300 mm/sec
- 處理間距(距樣品)：5 mm~15 mm
- 啟動速度快: < 0.5 sec
- 可適用各種材料及各形狀材料
- 電漿穩定性、均勻度高
- 先進半導體製程： 半導體各項製程應用、Wafer 去光阻 (Photoresist Removal) 製程、 3DIC 封裝、CPO (共同封裝光學)、Hybrid Bonding (混合鍵合)
- 顯示器與精細連接： LCM 中之 ITO Lead 清潔
- 表面改質與接合前處理：各式材料與元件在貼合 (Bonding) 或塗佈 (Coating) 前之表面清潔與活化改質